Нитевидные кристаллы полупроводника
Нитрид галлия и родственные ему соединения элементов III группы с азотом требуется для изготовления излучающих свет устройств, например светодиодов или нанолазеров. Однако из-за несоответствия параметров кристаллических решеток нанокристаллы GaN растут под углом ~55° на поверхности кремния (100). Это ограничивает их применение в технологиях современной электроники. Специалисты СПбГУ с коллегами предложили формировать на кремнии тонкий слой упорядоченных пор нанометровых размеров. Они становятся затравками для зарождения нанокристаллов и вынуждают их расти вверх, а не в стороны. Эксперименты подтвердили эффективность технологии. Интенсивность излучаемого новыми структурами света выросла втрое в сравнении с их наклонными прототипами, а ширина спектральных линий заметно сузилась. Это говорит о меньшем количестве дефектов в нанокристаллах. Новая технология не требует сложного оборудования.
Источник: Materials Science in Semiconductor Processing
Канал автора: https://t.me/medneus
Нитрид галлия и родственные ему соединения элементов III группы с азотом требуется для изготовления излучающих свет устройств, например светодиодов или нанолазеров. Однако из-за несоответствия параметров кристаллических решеток нанокристаллы GaN растут под углом ~55° на поверхности кремния (100). Это ограничивает их применение в технологиях современной электроники. Специалисты СПбГУ с коллегами предложили формировать на кремнии тонкий слой упорядоченных пор нанометровых размеров. Они становятся затравками для зарождения нанокристаллов и вынуждают их расти вверх, а не в стороны. Эксперименты подтвердили эффективность технологии. Интенсивность излучаемого новыми структурами света выросла втрое в сравнении с их наклонными прототипами, а ширина спектральных линий заметно сузилась. Это говорит о меньшем количестве дефектов в нанокристаллах. Новая технология не требует сложного оборудования.
Источник: Materials Science in Semiconductor Processing
Канал автора: https://t.me/medneus