📡 Материал для мобильной связи нового поколения разработали в Новосибирске

Ученые Института физики полупроводников СО РАН вместе с коллегами из НИЦ «Курчатовский институт» усовершенствовали специальный материал на основе диоксида гафния. Он может использоваться в современных транзисторах — ключевых элементах практически всей электронной техники.

Зачем это нужно? Новый материал позволяет работать при более низком напряжении, а значит, снижать энергопотребление устройств. При этом транзисторы могут быстрее переключаться.

В перспективе технология может найти применение в создании быстрой и износостойкой энергонезависимой памяти, а также в устройствах мобильной связи нового поколения. То есть разработки ученых потенциально помогут создавать электронику, которая потребляет меньше энергии и работает быстрее.

👉 ПОДРОБНЕЕ

Продолжаем рассказывать про технологии и разработки, которые создаются в Новосибирске.

#инновациисибири