Дмитрий Рощупкин представил перспективные 2D-материалы для микроэлектроники будущего
Директор Института проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН член-корреспондент РАН Дмитрий Рощупкин рассказал о перспективах применения двумерных материалов в микроэлектронике на форуме «Микроэлектроника 2026».
Мероприятие проходит с 27 сентября по 3 октября 2026 года на площадке Научно-технологического университета «Сириус» при поддержке Российской академии наук.
Директор Института проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН член-корреспондент РАН Дмитрий Рощупкин рассказал о перспективах применения двумерных материалов в микроэлектронике на форуме «Микроэлектроника 2026».
Мероприятие проходит с 27 сентября по 3 октября 2026 года на площадке Научно-технологического университета «Сириус» при поддержке Российской академии наук.