🇰🇷 Подразделение Samsung по контрактному производству полупроводников обновило дорожную карту техпроцессов и перенесло вывод SF1.4 на 2029 год
📋 Samsung Foundry представила обновленную дорожную карту на конференции Next-Generation Lithography + Patterning Conference 2026. По сравнению с планом 2024 года изменения заметные: Samsung не будет ускорять вывод проектной нормы SF1.4 класса 1,4 нм, а в ближайшие три года сосредоточится на развитии семейства SF2.
До перехода к проектным нормам класса 1 нм около 2030 года Samsung планирует доработать линейку 2-нм техпроцессов. В нее входят SF2P, SF2X, SF2A и SF2Z, где предусмотрена подача питания с обратной стороны кристалла.
📍 SF1.4 теперь ожидается в 2029 году, а не в 2027-м, как следовало из прежней дорожной карты. Таким образом, Samsung замедляет темп перехода к следующей передовой норме и делает акцент на повышении зрелости SF2: выходе годных изделий, объемах производства и коммерческой пригодности технологии для крупных заказчиков.
🔬 High-NA EUV Samsung планирует внедрять начиная с SF1A, то есть проектной нормы класса 1 нм. Это первый случай, когда компания прямо подтвердила планы по использованию High-NA EUV в будущей производственной дорожной карте.
⚙️ При этом Samsung уже больше года использует ASML Twinscan EXE:5000 с числовой апертурой 0,55 в исследовательских целях. Однако для массового производства 2-нм и 1,4-нм решений компания пока не спешит переходить на High-NA EUV. По словам представителя Samsung, технология требует дальнейшей доработки.
Причины связаны не только со стоимостью самих сканеров. High-NA EUV меняет технологическую экосистему вокруг литографии: требуются улучшенные фоторезисты, другие фотошаблоны, пелликлы, метрология, инспекция и вычислительная литография. Кроме того, у High-NA EUV меньше поле экспонирования, поэтому для крупных кристаллов может потребоваться сшивание, что усложняет проектирование.
Отдельно Samsung готовит расширенную версию SF1.4+. Она может существовать параллельно с SF1A: SF1A будет опираться на High-NA EUV, а SF1.4+ сохранит более отработанные процессы на базе Low-NA EUV.
✍️ В целом обновленная дорожная карта показывает более осторожный подход Samsung Foundry к передовым техпроцессам. Компания переносит практическое применение High-NA EUV за горизонт 1,4 нм и сначала пытается сделать семейство SF2 более устойчивым с точки зрения выхода годных и масштабирования производства.
#ЭлМаш #технологии #Samsung
📋 Samsung Foundry представила обновленную дорожную карту на конференции Next-Generation Lithography + Patterning Conference 2026. По сравнению с планом 2024 года изменения заметные: Samsung не будет ускорять вывод проектной нормы SF1.4 класса 1,4 нм, а в ближайшие три года сосредоточится на развитии семейства SF2.
До перехода к проектным нормам класса 1 нм около 2030 года Samsung планирует доработать линейку 2-нм техпроцессов. В нее входят SF2P, SF2X, SF2A и SF2Z, где предусмотрена подача питания с обратной стороны кристалла.
📍 SF1.4 теперь ожидается в 2029 году, а не в 2027-м, как следовало из прежней дорожной карты. Таким образом, Samsung замедляет темп перехода к следующей передовой норме и делает акцент на повышении зрелости SF2: выходе годных изделий, объемах производства и коммерческой пригодности технологии для крупных заказчиков.
🔬 High-NA EUV Samsung планирует внедрять начиная с SF1A, то есть проектной нормы класса 1 нм. Это первый случай, когда компания прямо подтвердила планы по использованию High-NA EUV в будущей производственной дорожной карте.
⚙️ При этом Samsung уже больше года использует ASML Twinscan EXE:5000 с числовой апертурой 0,55 в исследовательских целях. Однако для массового производства 2-нм и 1,4-нм решений компания пока не спешит переходить на High-NA EUV. По словам представителя Samsung, технология требует дальнейшей доработки.
Причины связаны не только со стоимостью самих сканеров. High-NA EUV меняет технологическую экосистему вокруг литографии: требуются улучшенные фоторезисты, другие фотошаблоны, пелликлы, метрология, инспекция и вычислительная литография. Кроме того, у High-NA EUV меньше поле экспонирования, поэтому для крупных кристаллов может потребоваться сшивание, что усложняет проектирование.
Отдельно Samsung готовит расширенную версию SF1.4+. Она может существовать параллельно с SF1A: SF1A будет опираться на High-NA EUV, а SF1.4+ сохранит более отработанные процессы на базе Low-NA EUV.
✍️ В целом обновленная дорожная карта показывает более осторожный подход Samsung Foundry к передовым техпроцессам. Компания переносит практическое применение High-NA EUV за горизонт 1,4 нм и сначала пытается сделать семейство SF2 более устойчивым с точки зрения выхода годных и масштабирования производства.
#ЭлМаш #технологии #Samsung