Электронное машиностроение

🇺🇸 Американская компания Coherentо запустила PhotonLink
, платформу для оптических межсоединений в инфраструктуре ИИ

PhotonLink объединяет технологии Coherent, необходимые для построения полного оптического тракта: источники излучения, элементы формирования и передачи оптического сигнала, а также фотодетекторы. В платформу входят лазеры на фосфиде индия (InP), массивы VCSEL (поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным резонатором), компоненты кремниевой фотоники, оптические изоляторы, специальные оптические волокна, микрооптические элементы и фотодетекторы.

⚙️ На основе этих компонентов Coherent будет выпускать внешние лазерные источники, прецизионные волоконно-оптические узлы и оптические модули, адаптированные под архитектуру конкретного заказчика. Компания берет на себя их сборку и испытания, что должно сократить объем работ по интеграции компонентов от разных поставщиков.

PhotonLink рассчитана на три направления:
🔹 CPO (co-packaged optics), совместное корпусирование оптических компонентов и вычислительных кристаллов или кристаллов сетевых коммутаторов;
🔹 NPO (near-packaged optics), размещение оптических модулей непосредственно рядом с корпусом вычислительного кристалла или коммутатора;
🔹 перспективные оптические межсоединения между кристаллами (chip-to-chip).

Переход к таким архитектурам связан с ростом пропускной способности ИИ-систем и энергопотребления электрических линий передачи данных. Оптические интерфейсы размещаются все ближе к вычислительным кристаллам, поэтому лазеры, фотонные интегральные схемы, микрооптика, волокна и фотодетекторы необходимо интегрировать в единую систему.

PhotonLink означает переход Coherent от поставок отдельных фотонных компонентов к серийному производству комплексных оптических узлов. Компания объединяет в одной производственной цепочке полупроводниковые материалы, лазеры, кремниевую фотонику, микрооптику, специальные волокна, фотодетекторы, а также сборку и испытания.

📑 Coherent уже ведет более десяти проектов с заказчиками по CPO и более десяти по NPO. По обоим направлениям заключены долгосрочные соглашения с основными заказчиками. Еще более пяти проектов относятся к оптическим межкристальным соединениям. Рост выручки от PhotonLink компания ожидает с IV квартала 2026 года.

💿 Для увеличения выпуска Coherent расширяет мощности по производству 150-мм пластин InP и специальных оптических волокон. К настоящему времени компания поставила более 300 млн InP-лазеров и более 1 млрд фотодетекторов на основе InP и арсенида галлия (GaAs).

Компания первой в отрасли перешла к масштабируемому производству InP-оптоэлектроники на пластинах такого диаметра на площадках в США и Швеции. Однако 150-мм InP постепенно осваивают и другие производители: Lumentum переводит на этот формат новую фабрику в США, а в Нидерландах создается отдельная 150-мм производственная линия для InP-фотоники.

#ЭлМаш #технологии

🇺🇸🇮🇳 Американская Applied Materials инвестирует $5 млрд в развитие полупроводниковой отрасли Индии в течение следующих 10 лет

Компания объявила новую долгосрочную программу India Vision 2035, которая должна расширить ее присутствие в стране и глубже встроить индийскую полупроводниковую экосистему в глобальную цепочку поставок. Applied Materials работает в Индии более 20 лет, а ее местные подразделения уже занимаются НИОКР, проектированием, валидацией и разработкой оборудования.

Программа рассчитана на три направления:
🔬 расширение НИОКР;
🔗 развитие местной цепочки поставок;
👷‍♂️ подготовку инженерных кадров.

В частности, компания планирует создать исследовательский парк площадью около 57 га с чистыми помещениями и инфраструктурой для совместной разработки технологий с заказчиками и поставщиками.

📈 К 2035 году Applied Materials намерена увеличить мощности своей индийской цепочки поставок в десять раз и вдвое расширить штат специалистов, занятых в НИОКР. В 2024 году компания также ввела в эксплуатацию в Бангалоре India Validation Center, первую в Индии частную исследовательскую площадку с возможностью обработки 300-мм пластин.

💸 Инвестиции приходятся на этап активного формирования полупроводниковой отрасли Индии. В стране одобрено 12 проектов в рамках программ господдержки, три предприятия по корпусированию уже начали коммерческое производство, однако крупносерийное производство микросхем на фронтенд-фабриках пока не запущено. Старт фабрики Tata Electronics в штате Гуджарат стоимостью около $10 млрд задерживается почти на два года.

#ЭлМаш #технологии #Индия

🇳🇱 Нидерландская компания ASML заявила, что в первом полугодии 2026 года на Европу пришлось 0% ее выручки

📉 В 2025 году на Европу приходился 1% выручки компании, в 2024 году 5%, в 2023 году 4%. В первых двух кварталах 2026 года доля региона снизилась до 0%. ASML связывает это с недостаточным объемом инвестиций в новые полупроводниковые производства и отсутствием внутреннего спроса на наиболее передовые литографические системы.

🏗️ ASML считает, что одних субсидий на строительство фабрик недостаточно. Компания предлагает европейским властям стимулировать спрос на микросхемы европейского производства со стороны крупных промышленных потребителей, чтобы сформировать устойчивый рынок сбыта и дать производителям стимул расширять мощности внутри региона.
При этом фабрики в Европе строятся и расширяются. Intel инвестирует €5 млрд в Fab 34 в Ирландии, ESMC строит в Дрездене фабрику стоимостью около €15 млрд для техпроцессов 12/16 и 22/28 нм, Infineon открыла там же 300-мм Smart Power Fab стоимостью €5 млрд, а GlobalFoundries расширяет производство специализированных микросхем. Однако эти проекты в основном ориентированы на зрелые и специализированные проектные нормы и не предполагают использования EUV и High-NA EUV в масштабах, характерных для передовых фабрик Тайваня, Южной Кореи и США.
🔗 Более глубокая проблема заключается в том, что Европа не контролирует полный цикл производства сложных микросхем. Даже если пластины обрабатываются на европейской фабрике, последующие операции корпусирования и сборки часто выполняются в других регионах. Поэтому формирование спроса на условно «европейские» микросхемы само по себе пока не гарантирует загрузку всей европейской производственной цепочки.

#ЭлМаш #технологии #ASML

🇷🇺 Сегодня на пленарном заседании форума "Микроэлектроника 2026" заместитель Министра промышленности и торговли Василий Викторович Шпак анонсировал начало проекта по строительству испытательных центров для российского оборудования, материалов и химии.
В.В. Шпак: Стратегической целью таких центров является не просто создание инфраструктуры для испытаний, а формирование целостной цепочки производства интегральных микросхем на российских установках. Подчеркну, речь идет не о серийной российской фабрике (это более долгосрочная перспектива), а об опытной линии на пластинах диаметром 100-150 мм.
На этом пути будет немало трудностей, но, уверен, что сформированные за последние годы коллективы в сфере электронного машиностроения смогут эти трудности преодолеть."

#Элмаш #ФорумМикроэлектроника2026

🇷🇺 В Сириусе стартовал форум "Микроэлектроника-2026". Электронное машиностроение традиционно является одной из главных его тем.

Сегодня на пленарном заседании Валерий Пивень, директор департамента станкостроения и тяжелого машиностроения Минпромторга России, представил доклад о текущем статусе реализации Комплексной программы развития электронного машиностроения.
Комплексная программа посвящена не только развитию российского оборудования, но и химии, специальных материалов и средств проектирования.
Первые результаты реализации Программы появляются уже сейчас.

В.В. Пивень: "Всего в 2026 году планируется к завершению более 100 различных тематик. В частности завершаются работы по установке фотолитографии с разрешением 130 нанометров с российским эксимерным лазером. Параллельно будет готов электронно-лучевой литограф, рассчитанный под топонормы до 150 нанометров, завершаются разработки
контрольно-измерительного оборудования: от стилусных профилометров до установок контроля привносимой дефектности. В части химии ожидаем завершения разработки российского фоторезиста под длины волн от 355 нанометров и выше."

#Элмаш #ФорумМикроэлектроника2026

🇯🇵🇦🇹 Австрийская компания EV Group и японская компания NTT-AT адаптировали наноимпринтную литографию для серийного изготовления оптических структур

Компании подтвердили совместимость процесса SmartNIL компании EVG с УФ-отверждаемыми полимерными материалами NTT-AT с высоким показателем преломления. Разработка предназначена прежде всего для изготовления волноводов устройств дополненной реальности, в которых методом наноимпринтной литографии формируют дифракционные решетки и другие оптические наноструктуры.

В испытаниях использовали материал NH762 серии NH700 и рабочий штамп EVG NIL UV/AS5. Были воспроизведены:

🔹 структуры «линия/зазор» с размером элементов 350 нм;
🔹 наклонные под углом 45° дифракционные решетки;
🔹 метаоптические элементы с минимальным размером 65 нм.

🔬 По данным компаний, дефектов и деформации рисунка при формировании этих структур не выявлено. В серии из 25 последовательных циклов импринтинга изменение высоты рельефа составило около 2,2%, что подтверждает стабильность воспроизведения и отделения штампа от полимерного слоя. После испытаний при повышенной температуре и влажности, а также светового воздействия геометрия структур изменилась незначительно.

📊 Материалы серии NH700 после отверждения имеют показатель преломления 1,8–1,9 при толщине пленки от 200 нм до 1 мкм. Высокий показатель преломления позволяет формировать более компактные оптические структуры и эффективнее управлять распространением света в волноводах AR-устройств.

Практический результат работы заключается в предварительно проверенной совместимости материала, штампа и процесса наноимпринтной литографии. По оценке компаний, это должно сократить этапы подбора материала, испытаний надежности и отработки процесса при подготовке серийного производства AR-оптики.

🤝 Компании продолжат испытания других материалов этой серии на том же наноимпринтном оборудовании. Помимо AR-волноводов, технология рассматривается для изготовления метаоптики, компонентов LiDAR и оптических датчиков.

#ЭлМаш #технологии

🇧🇪 На конференции ASC 2026 бельгийский исследовательский центр Imec представил сверхпроводящие схемы с расчетной плотностью 3,8 млн джозефсоновских переходов на см²

Разработка выполнена на 300-мм пластинах с применением КМОП-совместимых технологических процессов. В качестве сверхпроводника используется нитрид ниобия-титана (NbTiN).

Imec удалось:

🔹 изготовить трехуровневые схемы с джозефсоновскими переходами NbTiN/α-Si/NbTiN диаметром до 150 нм и расчетной плотностью размещения до 3,8 млн переходов на см²;

🔹 сформировать трехуровневую систему металлизации на основе NbTiN с минимальной шириной проводников 30 нм, что примерно в 10 раз меньше, чем в традиционных сверхпроводниковых схемах на основе ниобия. Система включает проводники и межуровневые соединения для формирования индуктивных элементов, пассивных линий передачи, заземляющих плоскостей, тактовых и силовых резонаторов.

⚡️ Джозефсоновские переходы выполняют функцию активных элементов сверхпроводниковых логических микросхем. Разработанный процесс позволяет регулировать их критическую плотность тока, а для сверхпроводящих межсоединений — критический ток в зависимости от требований схемы.

📈 Разработка ориентирована на высокопроизводительные и квантовые вычисления, ИИ-ускорители, фотонику и нейроморфные системы. По оценке imec, сверхпроводниковая электроника потенциально может обеспечить до 100-кратного повышения энергоэффективности и до 1000-кратного увеличения плотности вычислений и пропускной способности распределения сигналов по сравнению с современной КМОП-технологией.

Дальнейшая работа imec будет сосредоточена на развитии техпроцесса, средств автоматизации проектирования и 2,5D- и 3D-гетерогенной интеграции сверхпроводниковых схем с другими компонентами вычислительных систем.

#ЭлМаш #технологии

🇹🇼🇳🇱 Тайваньская TSMC и нидерландская ASML запустили отраслевую инициативу по переходу от стандартных 150-мм фотошаблонов к 300-мм для литографии High-NA EUV

📆 Пилотную линию для изготовления 300-мм фотошаблонов планируется создать к 2031 году, а готовность соответствующих литографических систем к производству передовых микросхем намечена на 2033 год.

Для TSMC это первое публичное подтверждение сроков внедрения High-NA EUV в серийное производство. Компания намерена начать использовать технологию в массовом производстве с 2030 года. Для сравнения, Samsung планирует применять High-NA EUV при производстве DRAM с 2028 года, а Intel уже осваивает системы нового поколения.

🔬 Переход к увеличенным фотошаблонам связан с особенностями оптической системы High-NA EUV. Рост числовой апертуры с 0,33 до 0,55 повышает разрешение, однако используемая в системах EXE анаморфная оптика уменьшает размер экспонируемого поля на пластине. Поэтому крупные кристаллы при использовании стандартного 150-мм фотошаблона приходится экспонировать частями со сшивкой отдельных полей.

300-мм фотошаблон позволит увеличить область экспонирования и:
🔹 экспонировать крупные кристаллы без сшивки полей;
🔹 повысить производительность High-NA EUV-сканеров и снизить стоимость литографической обработки.

📈 По оценке ASML, переход на крупноформатные фотошаблоны может повысить производительность High-NA EUV-систем примерно на 40% и расширить экономически целесообразное применение технологии на большее число слоев. Переход будет постепенным: первые поколения High-NA EUV продолжат работать со стандартными 150-мм фотошаблонами.

🔗 Новый формат потребует перестройки всей инфраструктуры производства и использования фотошаблонов: установок записи, оборудования инспекции и метрологии, систем очистки и транспортировки, а также пелликлов. Поэтому ASML и TSMC рассматривают переход как отраслевую инициативу с участием производителей микросхем, фотошаблонов и оборудования.

#ЭлМаш #технологии

🇯🇵 Японская компания Tokyo Electron роботизирует обслуживание оборудования для производства полупроводников

Tokyo Electron (TEL) разрабатывает роботизированные системы для автоматизации технического обслуживания полупроводникового оборудования. Компания связывает это направление с усложнением установок, дефицитом квалифицированных специалистов и дальнейшей автоматизацией фабрик.

🤖 В первую очередь TEL планирует передать роботам наиболее регулярные и трудоемкие операции:

🔹 замену расходных компонентов внутри установок, включая извлечение отработанных деталей и установку новых;

🔹 замену исходных материалов, прежде всего там, где операции выполняются часто, связаны с риском ошибок или предъявляют повышенные требования к безопасности;

🔹 транспортировку компонентов между оборудованием и зонами обслуживания;

🔹 работы на высоте и в труднодоступных участках установок, для которых рассматриваются компактные роботы, способные перемещаться внутри оборудования.

🔬 Одна из основных инженерных задач связана с точностью выполнения таких операций. Например, при обслуживании плазменного оборудования положение отдельных компонентов необходимо выдерживать с допуском, сопоставимым с толщиной листа бумаги: отклонение может повлиять на однородность плазмы и параметры технологического процесса.

👁️ Для позиционирования роботов TEL использует камеры и системы технического зрения. Условия внутри технологических установок осложняют распознавание: на поверхностях постепенно накапливаются побочные продукты процесса, меняющие внешний вид компонентов. Для повышения устойчивости систем технического зрения компания развивает алгоритмы с применением ИИ.

⚙️ Роботизация потребует изменений и в конструкции самого полупроводникового оборудования. Установки должны обеспечивать роботам доступ к обслуживаемым узлам и возможность выполнять необходимые операции с заданной точностью. Параллельно TEL работает над стандартизацией отдельных элементов роботизированных систем, включая мобильные платформы и интерфейсы взаимодействия с оператором, чтобы унифицированные решения можно было применять для разных типов оборудования.

В перспективе роботы должны стать частью автоматизированной фабричной инфраструктуры. Помимо выполнения физических операций, они смогут регистрировать данные о проведенном обслуживании, что позволит стандартизировать процедуры, анализировать причины отказов и сокращать простои оборудования.

#ЭлМаш #технологии

🇯🇵🇺🇸 Компании Kioxia и Sandisk вложат более $31 млрд в расширение производства флеш-памяти в Японии

Японская компания Kioxia и американская компания Sandisk объявили о совместной инвестиционной программе объемом более 31 млрд долл. США до 2032 года. Средства пойдут на развитие производственных площадок Yokkaichi и Kitakami, инфраструктуры и технологий для выпуска следующих поколений флеш-памяти.

🏭 Одновременно Kioxia начала подготовку площадки под новый производственный корпус Fab3 на заводе Kitakami в префектуре Иватэ. Его построят к югу от действующего Fab2, а запуск производства запланирован на 2029 финансовый год. Fab3 предназначен для расширения выпуска передовой 3D NAND BiCS FLASH.

🤝 Проект является продолжением совместной производственной модели Kioxia и Sandisk, которая действует более 25 лет. Компании совместно разрабатывают NAND и инвестируют в производственные мощности в Японии. За предыдущие 25 лет объем таких инвестиций превысил $50 млрд.

📈 Расширение связано с ожидаемым ростом спроса на высокоемкую и энергоэффективную флеш-память для ИИ-ЦОД, периферийных и пользовательских ИИ-систем. Компании рассчитывают последовательно наращивать объем выпуска памяти в битах и одновременно увеличивать производство новых поколений 3D NAND.

📆 При этом конкретный график строительства Fab3 и объем инвестиций в производственное оборудование Kioxia пока не определила. Компания прямо указывает, что эти параметры будут зависеть от рыночной ситуации. Реализация общей инвестиционной программы также зависит от государственной поддержки Японии.


#ЭлМаш #технологии

🇨🇳 Китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) сообщила о начале массового производства LPDDR6 для смартфона Xiaomi

Это произошло менее чем через год после начала серийного выпуска LPDDR5 компанией и практически одновременно с коммерциализацией LPDDR6 ведущими мировыми производителями памяти. Разрыв с Samsung, SK hynix и Micron по срокам освоения нового поколения памяти в этом случае практически отсутствует.

Для сравнения, SK hynix в марте 2026 года сообщила о завершении разработки 16-Гбит LPDDR6 на техпроцессе 1c и планировала начать поставки во второй половине года. Samsung к этому моменту уже представила собственную LPDDR6, а Micron передавала заказчикам образцы LPDDR6 на базе 1γ-технологии для квалификации. На этом фоне заявление CXMT о массовом производстве в августе означает, что китайский производитель вышел на рынок нового поколения мобильной DRAM в тот же временной интервал, что и крупнейшие мировые игроки.
LPDDR6 существенно отличается от предыдущего поколения на уровне интерфейса. Стандарт использует трехуровневую передачу сигнала PAM3 вместо двухуровневого NRZ, предусматривает скорость передачи данных до 43,2 ГТ/с и уменьшает разрядность интерфейса с 32 до 24 бит. Переход требует изменений в физическом интерфейсе памяти, контроллерах и системной архитектуре.
❗️Однако заявление о массовом производстве пока не позволяет говорить о полном технологическом паритете CXMT с прочими производителями. Компания не раскрыла используемый техпроцесс, выход годных изделий, объем выпуска и параметры конкретных микросхем. Пока подтверждено применение LPDDR6 только у одного заказчика и в одном продукте.

📈 Темпы развития CXMT при этом заметно ускорились. Еще в 2025 году компания испытывала сложности с освоением DDR5: выход годных оценивался примерно в 50%, а применяемый техпроцесс G4 с минимальным характерным размером около 16 нм по технологическому уровню сопоставлялся с DRAM-процессами Samsung начала 2020-х годов. Для устранения проблем CXMT пришлось корректировать конструкцию микросхем и изготавливать новые комплекты фотошаблонов.

💿 Параллельно компания расширяет производственные мощности. По одной из оценок, в 2026 году мощности CXMT могут приблизиться к 350 тыс. запусков 300-мм пластин в месяц, что уже сопоставимо с масштабами Micron. Дальнейшее расширение зависит в том числе от доступа к иммерсионному DUV-литографическому оборудованию, поставки и обслуживание которого для передового производства DRAM в Китае ограничены экспортным контролем.


#ЭлМаш #технологии #Китай

🇨🇳 Китайские исследователи разработали метод пошагового термического испарения для формирования монокристаллических металлических контактов

Команда Shanghai Institute of Technical Physics Китайской академии наук разработала метод Step-Eva, позволяющий непосредственно выращивать монокристаллические металлические пленки на поверхности полупроводника. Работа направлена на снижение контактного сопротивления, которое становится все более значимым ограничением при уменьшении размеров транзисторов. Исследование опубликовано в Science 27.08.2026.

При обычном термическом испарении металл осаждается непрерывно, что способствует случайному зарождению кристаллитов и формированию поликристаллической пленки. В Step-Eva поток материала подается последовательно небольшими порциями с паузами между этапами. Это дает осажденным атомам дополнительное время для поверхностной миграции и упорядочения относительно кристаллической решетки подложки.

⏳ За счет разделения во времени процессов осаждения и структурной релаксации Step-Eva подавляет образование новых разупорядоченных центров кристаллизации и способствует объединению отдельных доменов. В результате непосредственно на полупроводнике формируется монокристаллическая металлическая пленка с дальним порядком.

🔗 Метод продемонстрирован для нескольких металлов: висмута, серебра, индия, золота и палладия. Полученные пленки формируют чистую границу раздела металл-полупроводник с минимальными повреждениями и пространственно однородной работой выхода с небольшими локальными флуктуациями потенциала.

Наиболее заметный эффект получен при формировании контактов к двумерным полупроводникам. Монокристаллические металлические пленки существенно ослабляют закрепление уровня Ферми на границе раздела и позволяют приблизить характеристики контакта к идеальному пределу Шоттки-Мотта.
Контактное сопротивление составило 36 Ом·мкм для транзисторов n-типа и 145 Ом·мкм для транзисторов p-типа. В устройствах с длиной канала 50 нм ток в открытом состоянии превысил 1,1 мА/мкм, а отношение токов в открытом и закрытом состояниях превысило 10¹⁰ для транзисторов обоих типов.
📍Авторы отмечают, что монокристаллические металлические пленки сохраняют непрерывную электрическую проводимость при малой толщине и обладают повышенной термической стабильностью. Эти свойства важны при дальнейшем уменьшении размеров контактов, поскольку обычные металлические пленки при масштабировании становятся чувствительнее к структурному беспорядку и размерным эффектам.

Авторы предлагают рассматривать структурное совершенство металлического контакта и границы раздела металл-полупроводник как дополнительный параметр масштабирования транзисторов.


#ЭлМаш #технологии #исследования #Китай

🇳🇱 Нидерландская компания ASM опубликовала технологический обзор масштабирования DRAM в эпоху 3D-архитектур

По оценке компании, переход от ячеек 6F² к 4F² становится одним из последних этапов традиционного двумерного масштабирования DRAM. Дальнейшее повышение плотности будет связано с вертикальными архитектурами, где ячейки памяти размещаются друг над другом.

❐ Такой переход меняет требования к технологическому оборудованию и материалам. В 3D DRAM растет аспектное отношение структур и увеличивается число повторяющихся интерфейсов. Пленки должны формироваться с высокой однородностью по площади пластины и по всей глубине трехмерной структуры. Даже отклонения на атомарном уровне могут накапливаться по стеку и влиять на производительность, надежность и выход годных изделий.

🔋 Для конденсаторов DRAM главным ограничением становится сохранение емкости при уменьшении площади ячейки. Это повышает требования к high-k-диэлектрикам, электродам и качеству интерфейсов. Материалы должны обеспечивать нужную емкость, удержание заряда, низкие токи утечки и стабильное сопротивление в более жестких геометрических условиях.

ASM выделяет три группы задач для материалов в 3D DRAM:
▷ выбор состава для накопительных электродов DRAM-конденсаторов, электродов и конденсаторных стеков;
▷ управление электрическими характеристиками, включая емкость, удержание заряда, сопротивление и токи утечки;
▷ контроль дефектности и однородности пленок на сложном трехмерном рельефе.

⚛️ Атомно-слоевое осаждение становится одной из базовых технологий для такого перехода. ALD позволяет конформно наносить ультратонкие high-k-пленки на структуры с высоким аспектным отношением. Контроль толщины и состава материала при этом смещается в ангстремный диапазон, что необходимо для стабильных электрических характеристик в 3D-структурах.

Отдельное значение приобретает инженерия поверхности. В вертикальных архитектурах DRAM количество границ между материалами резко возрастает, поэтому адгезия, дефектность и повторяемость осаждения начинают напрямую определять поведение устройства.

🤖 Эти ограничения оказывают прямое влияние на производительность микросхем памяти, используемых в ИИ-системах. HBM зависит от плотной вертикальной интеграции DRAM и должна обеспечивать высокую пропускную способность при приемлемом энергопотреблении и сохранности данных. По мере роста ИИ-нагрузок память ограничивается уже не только емкостью, но и энергетикой, целостностью данных и стабильностью работы массива.

📍 Главный вывод ASM: дальнейшее масштабирование DRAM будет все меньше определяться простым уменьшением геометрии и все больше зависеть от точности материаловедения. Для 3D DRAM критичными становятся состав материалов, поведение пленок в устройстве и способность оборудования воспроизводимо контролировать их на атомарном уровне в массовом производстве.

#ЭлМаш #технологии #память

🇺🇸🇫🇷 Американская Silvaco и французская Dassault Systèmes создадут цифровой двойник для разработки полупроводниковых техпроцессов

🤝 Компании объявили о стратегическом партнерстве и начали разработку связанной системы цифровых двойников, которая должна объединить моделирование технологического оборудования и процессов на пластине. Цель проекта — дать производителям возможность проверять параметры процесса виртуально, до проведения дорогостоящих экспериментов на реальном оборудовании, и быстрее выводить процессы на стабильный уровень выхода годных изделий.

Silvaco разрабатывает инструменты для проектирования и моделирования микросхем, а Dassault Systèmes — платформы для 3D-моделирования и создания цифровых двойников.

▶︎ Первое направление партнерства связано с плазменными процессами травления и осаждения. Dassault Systèmes будет использовать инструменты SIMULIA для моделирования плазмы на уровне реактора, а Silvaco — Victory Process для моделирования изменений структуры на пластине. Такая связка должна показать, как параметры оборудования влияют на геометрию элементов после обработки.

▶︎ Второе направление связано с механическим анализом. Данные о структуре и материалах, полученные в среде моделирования Silvaco, будут передаваться в инструменты SIMULIA. Это позволит оценивать напряжения, деформации и другие механические эффекты, значимые для передовых полупроводниковых технологий и сложного корпусирования.

📍 Новизна проекта заключается в объединении нескольких физических уровней моделирования в единую расчетную цепочку. Параметры плазменного травления и осаждения, рассчитанные на уровне реактора, будут связываться с изменением геометрии структур на пластине, а затем передаваться в механический анализ. Это позволит заранее оценивать, как технологический процесс влияет на напряжения, деформации, коробление и надежность изделия в сложных 2.5D- и 3D-сборках.

Технологии цифровых двойников в микроэлектроники также развивают такие компании как Siemens (Calibre Fab Insights), Ansys (Twin Builder & TwinAI), Applied Materials (ACE+ & AIx), Lam Research (Semiverse Solutions Products) и Sandbox Semiconductor (SandBox Studio AI).

#ЭлМаш #технологии

🇷🇺 Российские разработки в сфере специального технологического и измерительного оборудования, материалов и химии для производства электроники представлены на международной выставке CSEAC'26 в Китае

В китайском городе Уси стартовала международная выставка CSEAC (China Semiconductor Equipment Annual Conference and Semiconductor Equipment Materials and Core Components Exhibition). Выставку посетят более 120 000 специалистов в сфере полупроводников из Китая, России и стран Юго-Восточной Азии.

Минпромторг России совместно с Правительством города Москвы и ведущими российскими разработчики и производителями представляют коллективный стенд отечественных решений для ключевых этапов производства микроэлектроники: технологическое оборудование, особо чистую химию, материалы и контрольно-измерительные системы.

📍В рамках деловой программы выставки также состоялся круглый стол "Путь к суверенному полупроводниковому производству" (Path to Sovereign Semiconductor Fab), посвященный передовым российским разработкам. В ходе мероприятия публике были представлены доклады российских организаци: ФГУП "ЦРП", ООО "Лассард", АО "ЗНТЦ", АО НИИТМ, АО "НТО", МФТИ, ООО "Джиэнтех", СБЕР, АО "НИИМЭ". Модерировал круглый стол Александр Львов, генеральный директор АО "МНТЦ МИЭТ".

Выставка будет продолжаеться до 2 сентября включительно. Коммуникации, которые на ней формируются, станут ядром для будущего взаимодействия между Россией и зарубежными партнерами в азиатском регионе.

#ЭлМаш #технологии #CSEAC26 #выставка

🇸🇬 Исследователи из Сингапура разработали ультратонкий low-k-диэлектрик толщиной 0,8 нм

В Nature Electronics опубликована работа по аморфному углеродному диэлектрику с диэлектрической проницаемостью k = 1,35, которая сохраняется вплоть до толщины 0,8 нм.

Обычные low-k-диэлектрики плохо масштабируются до атомарных толщин. Пористые материалы могут давать низкую диэлектрическую проницаемость, но теряют механическую устойчивость и хуже работают как барьер против диффузии металлов. Более плотные аморфные пленки прочнее, но при уменьшении толщины их k обычно растет. В результате для дальнейшего масштабирования КМОП нужен материал, который одновременно сохраняет низкую k, механическую прочность и барьерные свойства на толщине менее 3 нм.

🔗 Предложенный материал представляет собой аморфную углеродную пленку с преобладанием sp²-связей. Авторы называют предельно тонкую форму материала monolayer amorphous carbon, или MAC. В эксперименте пленки сохраняли k = 1,35 ± 0,10 почти без зависимости от толщины, частоты и напряжения.
Технологически наиболее интересен способ формирования материала. Исследователи модифицировали процесс CVD: заменили метан ацетиленом и добавили удаленный источник индуктивно связанной плазмы. Это позволило перейти от самоограниченного роста одного атомного слоя на металлических поверхностях к контролируемому конформному осаждению на различных материалах. Процесс проводится при температуре ниже 300 °C и продемонстрирован на пластинах диаметром 100 мм.
🔬 Толщину пленки удалось контролировать в диапазоне примерно от 0,8 до 2,7 нм. Материал равномерно формировался на SiO₂, меди, кобальте, а также на структурах с траншеями и металлическими линиями. Это важно для межсоединений, где диэлектрик должен покрывать сложный рельеф без разрывов на углах и границах материалов.

⚡️ Электрическая прочность пленки составила 28–31 МВ/см. Материал также показал барьерные свойства против диффузии ионов металлов: расчетное время до отказа для пленки толщиной 0,8 нм превышает 10¹⁰ секунд. По данным авторов, это более чем на два порядка выше, чем у TaN, который сейчас используется как промышленный диффузионный барьер.

📍 Главный практический смысл работы — возможность заменить более сложные многослойные структуры в межсоединениях. Сейчас low-k-диэлектрик, барьер, лайнеры и защитные слои формируются отдельно и занимают заметную часть объема межсоединения. Аморфный углеродный диэлектрик потенциально может объединить несколько функций в одном ультратонком конформном слое: снижать паразитную емкость, работать как диэлектрик и одновременно ограничивать диффузию металлов.


#ЭлМаш #технологии

🇨🇳 Китайские исследователи предложили метод переноса тонкопленочных GaN HEMT с кремниевой подложки без механического шлифования

Команда ShanghaiTech University, SINANO и University of Science and Technology of China разработала подход на основе электрохимического травления. Метод позволяет отделять AlGaN/GaN HEMT-структуру от кремния и переносить ее на временную подложку с сохранением структурной целостности и электрических свойств гетероструктуры.

📱Такие процессы важны для гибкой и конформной электроники на основе GaN: беспроводных систем связи нового поколения, носимых сенсоров, изогнутых дисплеев и RF-устройств, которые должны работать на неплоских поверхностях. GaN HEMT интересны для этих применений из-за высокой подвижности электронов, высокой частоты переключения и устойчивости к большим напряжениям.

🔬 В эксперименте эпитаксиальная AlGaN/GaN-структура была выращена на p-Si-подложке методом MOCVD. Барьерный слой AlGaN содержал 25% алюминия. После формирования HEMT-устройств поверхность защищали слоем фоторезиста толщиной 6 мкм, затем проводили электрохимическое травление в растворе азотной кислоты. Образец выступал анодом, катодом служила платина, а рабочее напряжение составляло около 8 В.

⚡️Выбор напряжения оказался критичным для качества отделения. При меньшем напряжении процесс занимает слишком много времени и может повреждать фоторезист и контактные металлы. При слишком высоком напряжении усиливаются электрохимические реакции, появляются пузырьки газа и механические напряжения, которые могут вызвать растрескивание тонкой HEMT-пленки.

⏳ На образцах размером 1×1 см отделение кремниевой подложки занимало около 25 минут. Травление идет преимущественно в области у границы AlN/Si, где формируется проводящий слой. Это позволяет отслаивать структуру без механического удаления кремния.

💿 После отделения поверхности оставались достаточно гладкими: среднеквадратичная шероховатость составила 1,9 нм для тонкой пленки и 1,1 нм для кремниевой подложки. Гладкая поверхность кремния важна отдельно: она может открыть возможность повторного использования подложки, что недоступно при обычном шлифовании или агрессивном мокром травлении.

📉 Перенос все же ухудшил электрические параметры устройств. Максимальный насыщенный ток стока снизился на 20,1%, максимальная крутизна характеристики — на 32,5%. Исследователи связывают это главным образом с саморазогревом после переноса на временную сапфировую подложку: теплопроводность сапфира ниже, чем у исходной кремниевой подложки, а клеевой слой дополнительно увеличивает тепловое сопротивление.

Для практического применения тепловую проблему можно снижать за счет более тонких гибких подложек, полимеров с теплопроводными наполнителями, например BN или Al₂O₃, и теплопроводных промежуточных клеевых слоев.

📍Главный результат работы — демонстрация низкоповреждающего способа отделения GaN HEMT от кремния. Если метод удастся масштабировать до уровня пластины, он может стать технологической основой для гибких GaN RF-устройств и одновременно снизить потери за счет повторного использования кремниевых подложек.

#ЭлМаш #технологии

🇰🇷 Подразделение Samsung по контрактному производству полупроводников обновило дорожную карту техпроцессов и перенесло вывод SF1.4 на 2029 год

📋 Samsung Foundry представила обновленную дорожную карту на конференции Next-Generation Lithography + Patterning Conference 2026. По сравнению с планом 2024 года изменения заметные: Samsung не будет ускорять вывод проектной нормы SF1.4 класса 1,4 нм, а в ближайшие три года сосредоточится на развитии семейства SF2.

До перехода к проектным нормам класса 1 нм около 2030 года Samsung планирует доработать линейку 2-нм техпроцессов. В нее входят SF2P, SF2X, SF2A и SF2Z, где предусмотрена подача питания с обратной стороны кристалла.

📍 SF1.4 теперь ожидается в 2029 году, а не в 2027-м, как следовало из прежней дорожной карты. Таким образом, Samsung замедляет темп перехода к следующей передовой норме и делает акцент на повышении зрелости SF2: выходе годных изделий, объемах производства и коммерческой пригодности технологии для крупных заказчиков.

🔬 High-NA EUV Samsung планирует внедрять начиная с SF1A, то есть проектной нормы класса 1 нм. Это первый случай, когда компания прямо подтвердила планы по использованию High-NA EUV в будущей производственной дорожной карте.

⚙️ При этом Samsung уже больше года использует ASML Twinscan EXE:5000 с числовой апертурой 0,55 в исследовательских целях. Однако для массового производства 2-нм и 1,4-нм решений компания пока не спешит переходить на High-NA EUV. По словам представителя Samsung, технология требует дальнейшей доработки.

Причины связаны не только со стоимостью самих сканеров. High-NA EUV меняет технологическую экосистему вокруг литографии: требуются улучшенные фоторезисты, другие фотошаблоны, пелликлы, метрология, инспекция и вычислительная литография. Кроме того, у High-NA EUV меньше поле экспонирования, поэтому для крупных кристаллов может потребоваться сшивание, что усложняет проектирование.

Отдельно Samsung готовит расширенную версию SF1.4+. Она может существовать параллельно с SF1A: SF1A будет опираться на High-NA EUV, а SF1.4+ сохранит более отработанные процессы на базе Low-NA EUV.

✍️ В целом обновленная дорожная карта показывает более осторожный подход Samsung Foundry к передовым техпроцессам. Компания переносит практическое применение High-NA EUV за горизонт 1,4 нм и сначала пытается сделать семейство SF2 более устойчивым с точки зрения выхода годных и масштабирования производства.

#ЭлМаш #технологии #Samsung

📈 В производстве микросхем растет внимание к материалам, которые обычно остаются за пределами публичной повестки: критическим элементам, технологическим прекурсорам, защитным покрытиям оборудования и химическим отходам.

📚 Один из примеров — проект Common Earth, который ведут исследователи Университета Мичигана совместно с imec. Его задача — найти более устойчивые замены для материалов, создающих уязвимости в цепочке поставок кремниевых микросхем, и сократить использование химических соединений, представляющих экологические риски.

Участники проекта работают с широкой категорией критических элементов. Один из них — гафний, применяемый в затворных диэлектриках транзисторов. Его доступность зависит от добычи циркония, поскольку гафний получают как побочный продукт этой цепочки. При этом цирконий используется в ядерной промышленности, поэтому расширение поставок гафния упирается в регулирование и спрос другой отрасли.

⚠️ Для полупроводниковой отрасли такая зависимость означает прямой сырьевой риск. Рост выпуска микросхем требует стабильного доступа к материалу, производство которого определяется динамикой другой отрасли. В такой конфигурации спрос со стороны производителей полупроводников не всегда приводит к быстрому росту предложения сырья.

⚙️ Часть редкоземельных материалов в КМОП-производстве приходится на оборудование и технологическую оснастку. В частности, они используются в покрытиях для плазменных процессов осаждения. Такие покрытия защищают компоненты оборудования от агрессивной плазменной среды и влияют на стабильность технологического процесса.

🔬 Common Earth работает над поиском более доступных материалов и химических составов, способных работать в таких условиях. Среди рассматриваемых направлений — азотсодержащие прекурсоры, которые могут сократить использование фтора в отдельных технологических процессах.

🧪Еще одно направление связано с PFAS — пер- и полифторалкильными веществами. В полупроводниковом производстве они возникают как отходы отдельных процессов и отличаются высокой стойкостью в окружающей среде. В рамках проекта разрабатываются материалы для улавливания PFAS и удаления этих соединений из сточных потоков.

🧩 Любая замена материала в производстве микросхем влияет на электрические характеристики устройства: токи утечки, задержки, энергопотребление. Поэтому Common Earth объединяет материаловедение, схемотехнику, архитектуру и системный уровень. Например, возможный рост токов утечки предлагается компенсировать более эффективным power gating, управлением частотой и другими схемными решениями.

🇪🇺 Исследовательский центр Imec выступает в проекте как промышленная тестовая платформа. Центр позволяет проверять материалы и процессы в условиях, близких к реальному производству, а также связывать исследователей с потенциальными пользователями технологии.

#ЭлМаш #технологии #imec