🇨🇳 Китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) сообщила о начале массового производства LPDDR6 для смартфона Xiaomi
Это произошло менее чем через год после начала серийного выпуска LPDDR5 компанией и практически одновременно с коммерциализацией LPDDR6 ведущими мировыми производителями памяти. Разрыв с Samsung, SK hynix и Micron по срокам освоения нового поколения памяти в этом случае практически отсутствует.
Для сравнения, SK hynix в марте 2026 года сообщила о завершении разработки 16-Гбит LPDDR6 на техпроцессе 1c и планировала начать поставки во второй половине года. Samsung к этому моменту уже представила собственную LPDDR6, а Micron передавала заказчикам образцы LPDDR6 на базе 1γ-технологии для квалификации. На этом фоне заявление CXMT о массовом производстве в августе означает, что китайский производитель вышел на рынок нового поколения мобильной DRAM в тот же временной интервал, что и крупнейшие мировые игроки.
LPDDR6 существенно отличается от предыдущего поколения на уровне интерфейса. Стандарт использует трехуровневую передачу сигнала PAM3 вместо двухуровневого NRZ, предусматривает скорость передачи данных до 43,2 ГТ/с и уменьшает разрядность интерфейса с 32 до 24 бит. Переход требует изменений в физическом интерфейсе памяти, контроллерах и системной архитектуре.
❗️Однако заявление о массовом производстве пока не позволяет говорить о полном технологическом паритете CXMT с прочими производителями. Компания не раскрыла используемый техпроцесс, выход годных изделий, объем выпуска и параметры конкретных микросхем. Пока подтверждено применение LPDDR6 только у одного заказчика и в одном продукте.
📈 Темпы развития CXMT при этом заметно ускорились. Еще в 2025 году компания испытывала сложности с освоением DDR5: выход годных оценивался примерно в 50%, а применяемый техпроцесс G4 с минимальным характерным размером около 16 нм по технологическому уровню сопоставлялся с DRAM-процессами Samsung начала 2020-х годов. Для устранения проблем CXMT пришлось корректировать конструкцию микросхем и изготавливать новые комплекты фотошаблонов.
💿 Параллельно компания расширяет производственные мощности. По одной из оценок, в 2026 году мощности CXMT могут приблизиться к 350 тыс. запусков 300-мм пластин в месяц, что уже сопоставимо с масштабами Micron. Дальнейшее расширение зависит в том числе от доступа к иммерсионному DUV-литографическому оборудованию, поставки и обслуживание которого для передового производства DRAM в Китае ограничены экспортным контролем.
#ЭлМаш #технологии #Китай
Это произошло менее чем через год после начала серийного выпуска LPDDR5 компанией и практически одновременно с коммерциализацией LPDDR6 ведущими мировыми производителями памяти. Разрыв с Samsung, SK hynix и Micron по срокам освоения нового поколения памяти в этом случае практически отсутствует.
Для сравнения, SK hynix в марте 2026 года сообщила о завершении разработки 16-Гбит LPDDR6 на техпроцессе 1c и планировала начать поставки во второй половине года. Samsung к этому моменту уже представила собственную LPDDR6, а Micron передавала заказчикам образцы LPDDR6 на базе 1γ-технологии для квалификации. На этом фоне заявление CXMT о массовом производстве в августе означает, что китайский производитель вышел на рынок нового поколения мобильной DRAM в тот же временной интервал, что и крупнейшие мировые игроки.
LPDDR6 существенно отличается от предыдущего поколения на уровне интерфейса. Стандарт использует трехуровневую передачу сигнала PAM3 вместо двухуровневого NRZ, предусматривает скорость передачи данных до 43,2 ГТ/с и уменьшает разрядность интерфейса с 32 до 24 бит. Переход требует изменений в физическом интерфейсе памяти, контроллерах и системной архитектуре.
❗️Однако заявление о массовом производстве пока не позволяет говорить о полном технологическом паритете CXMT с прочими производителями. Компания не раскрыла используемый техпроцесс, выход годных изделий, объем выпуска и параметры конкретных микросхем. Пока подтверждено применение LPDDR6 только у одного заказчика и в одном продукте.
📈 Темпы развития CXMT при этом заметно ускорились. Еще в 2025 году компания испытывала сложности с освоением DDR5: выход годных оценивался примерно в 50%, а применяемый техпроцесс G4 с минимальным характерным размером около 16 нм по технологическому уровню сопоставлялся с DRAM-процессами Samsung начала 2020-х годов. Для устранения проблем CXMT пришлось корректировать конструкцию микросхем и изготавливать новые комплекты фотошаблонов.
💿 Параллельно компания расширяет производственные мощности. По одной из оценок, в 2026 году мощности CXMT могут приблизиться к 350 тыс. запусков 300-мм пластин в месяц, что уже сопоставимо с масштабами Micron. Дальнейшее расширение зависит в том числе от доступа к иммерсионному DUV-литографическому оборудованию, поставки и обслуживание которого для передового производства DRAM в Китае ограничены экспортным контролем.
#ЭлМаш #технологии #Китай